STM32F303RBT7，意法32位微控制器MCU优势供货

主营产品：MCU单片、存储芯片、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32F030F4P6特性：
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器集成了Arm®皮质®-工作频率为48 MHz的M0 32位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达256千字节的闪存和高达32千字节的SRAM)，以及广泛的增强型外设和I/o。所有设备都提供标准通信接口(多两个I2Cs、多两个SPI和多六个USARTs)、一个12位ADC、七个通用16位定时器和一个控制PWM定时器。
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器采用2.4至3.6V电源供电，工作温度范围为-40至+85°C。一套全面的省电模式支持低功耗应用的设计。
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器包括四种不同封装的器件，从20引脚到64引脚不等。根据所选的设备，包括不同的外设集。以下描述概述了建议的完整系列STM32F030x4/x6/x8/xC外设。
这些特性使STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器适合各种应用，如应用控制和用户界面、手持设备、A/V接收器和数字电视、PC外设、游戏和GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVACs。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STM32F038C6T6
STM32F042C4U6
STM32F038C6T7
STM32F042C6U7
STM32F031F4P7
STM32F031G4U7
STM32F042F6P7
STM32F051K6U6
STM32F042K4U6
STM32F051K4U7
STM32F031C6T7
ST/意法常用型号备有大量现货。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32L151RCT6功能描述：
低功耗的STM32L151xC和STM32L152xC器件集成了通用串行总线(USB)与ARM的连接能力®皮质®-M3 32位RISC内核，工作频率为32 MHz (33.3 DMIPS)，内存保护单元(MPU)，高速嵌入式存储器(闪存高达256千字节，RAM高达32千字节)，以及连接到两条APB总线的大量增强I/o和外设。
STM32L151xC和STM32L152xC器件提供两个运算放大器、一个12位ADC、两个DAC、两个低功耗比较器、一个通用32位定时器、六个通用16位定时器和两个基本定时器，可用作时基。
此外，STM32L151xC和STM32L152xC器件包含标准和通信接口:多两个I2C、三个SPI、两个I2S、三个USARTs和一个USB。STM32L151xC和STM32L152xC器件提供多达23个容性检测通道，可为任何应用添加触摸检测功能。
封装：LQFP-64
包装：tape and reel
ST意法单片机其他型号（部分）：
STM32F071V8T7
STM32F091VBT7
STM32F098RCH6
STM32F091VCH7
STM32F038K6U6
STM32F042G6U7
STM32F051C4U6
STM32F048C6U6
STM32F042K6U7
STM32F058C8U6
STM32F051R8H6
STM32F058R8H6
STM32F071C8U7
STM32F051R8H7
STM32F058R8H7
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。

SCTW35N65G2VAG
汽车级碳化硅功率MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 C），采用HiP247封装
这款碳化硅功率MOSFET器件采用意法半导体创新的2德·一代碳化硅MOSFET技术。该器件具有极低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STM32L496QGI3
STM32F423ZHT6
STM32L496ZGT3
STM32L4R5QII6
STM32L4S5QII6
STM32L4R7VIT6
STM32F217IGH6
STM32L4S5ZIT6
STM32F746IGK6
STM32L4R9ZGJ6
STM32F746NGH6
STM32L4S9ZIJ6
STM32F777VIT6
STM32C011J6M6
STM32G030J6M6
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STB100N10F7
N 沟道 100 V、0.0068 欧姆（典型值）、80 A STripFET F7 功率 MOSFET，采用 D2PAK 封装
这些 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F7 技术，具有增强的沟槽栅极结构，可实现非常低的导通电阻，同时还降低了内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更的开关。
所有功能
在低的R中DS（开启）在市场上
的FoM（品质因数）
低 C.rss/C国际空间站抗扰度比
高雪崩性
ST意法其他部分单片机MCU型号：
STM32C011F4P6
STM32C011F6P6
STM32C031F6P6
STM32C031G6U6
STM32G031J6M6
STM32G050K8T6
STM32L011F3P6
STM32C031C6T6
STM32L011G3U6
STM32G031K6T6
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STB28N65M2
N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，D2PAK封装
这些器件是采用 MDmesh™ M2 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。由于其带状布局和改进的垂直结构，这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求苛刻的率转换器。
极低的栅极电荷
出色的输出电容 （C开放源码软件） 简介
雪崩测试
齐纳保护
ST意法其他部分单片机型号：
STM32F429IEH6
STM32L4R5AGI6
STM32F405ZGT7
STM32F746VGH6
STM32L4R9VGT6
STM32F765VGH6
STM32F429NEH6
STM32F429BET6
STM32F417ZGT6
STM32F429AGH6
STM32F439VGT6
STM32F746NEH6
STM32F437ZGT6
STM32F413ZHT3
STM32F745IGT6
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STE40NC60
N沟道600V 0.098 Ohm 40A ISOTOP POWERMESH II MOSFET
The PowerMESH™二是代网格覆盖的演变™.引入的布局改进地改善了 Ron* 面积品质因数，同时使器件在速度、栅极电荷和性方面保持。
所有功能：
典型 RDS（打开）= 0.098 Ω
雪崩测试
的DV/dt能力
栅极电荷小化
新的高压基准
ST意法其他部分单片机型号：
STM32G484RET6
STM32L562VET6
STM32F446ZET7
STM32F303ZET7
STM32L476RGT3
STM32H733VGT6
STM32L486ZGT6
STM32F205ZET7
STM32L476VGT3
STM32L496AGI6
STM32F469VET6
STM32L476QGI3
STM32L4A6ZGT6
STM32L4R5QGI6
STM32F415ZGT6
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