IRFR3806TRPBF，场效应管(MOSFET)原装供货

英飞凌是世界上的功率半导体元件制造商，可提供品类的金属氧化物-硅晶体管产品组合。在于 2015 年收购美国国际整流器公司 (IRF) 后，英飞凌将所有 IRF MOSFET 产品及功率 MOSFET 纳入其产品体系，进一步加强和扩展了该产品组合，从而得以立足于行业。

英飞凌功率 MOSFET 产品组合为一系列应用提供的发电、电源和功耗解决方案，如太阳能微型逆变器、服务器、电信和电动车。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC0702LS
IRF9540NPBF
IRFP250NPBF
BSS169H6327
IRFB3607PBF
IRFP260NPBF
IRFB4110PBF
IRFP250MPBF
IRFP150NPBF
BSS84PH6327
IRF5210PBF
IRLZ44NPBF
IRF630NPBF
IRFZ24NPBF
SPW47N60C3
英飞凌常用型号常备现货，交货快捷迅速，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

静电保护_浪涌电压保护
EiceDRIVER™ 栅极驱动器，用于驱动MOSFETs，IGBTs，碳化硅MOSFET， 以及氮化镓HEMT
每个功率器件都需要一个驱动芯片——合适的驱动芯片让您事半功倍。电力电子应用是基于功率器件技术。而所有功率器件都需要合适的栅极驱动器解决方案。因此，我们提供500多种 EiceDRIVER™ 栅极驱动器，适用于任何功率器件，和任何终端应用。
EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供从0.1 A到10 A的一系列的典型输出电流选项。具有全面的保护功能，包括快速短路保护（DESAT），有源米勒钳位，直通短路保护，故障报告，关断，过流保护。使得这些驱动适用于包括CoolGaN™和 CoolSiC™在内的所有功率器件
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IPB180N04S401ATMA1
BSZ42DN25NS3GATMA1
BSS816NWH6327XTSA1
IPD60N10S4L12ATMA1
BSC340N08NS3G
BSC028N06LS3G
BSS223PWH6327
BSZ900N15NS3G
BSC440N10NS3G
BSC036NE7NS3G
BGA427H6327XTSA1
BGB707L7ESDE6327XTSA1
ESD108-B1-CSP0201E6327
ESD113B102ELE6327XTMA1
IAUA180N04S5N012AUMA1
英飞凌常用型号常备现货，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

AURIX™ TriCore™ 在单个MCU中集成了一个RISC处理器内核、一个微控制器和一个DSP。基于TriCore™ 的产品在汽车中的应用非常广泛，包括内燃机控制、纯电动和混合动力汽车、变速器控制单元、底盘域、制动系统、电动转向系统、安全气囊、联网和驾驶辅助系统，并推动着自动化，电动化以及网联化的发展。AURIX™ 系列还适用于工业应用领域，在优化电机控制应用和信号处理方面非常具有性。
英飞凌广泛的产品组合使得工程师能根据自己所需的存储器、外设、频率、温度和封装挑选合适的产品。并且，所有这些在不同的产品间都具有很高的兼容性。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IPB160N04S4-H1
IRFR3709ZTRPBF
IRFS7730TRL7PP
IRFS7534TRLPBF
IRF6215STRLPBF
IPD25N06S4L-30
IRFS4127TRLPBF
IRFR4105ZTRPBF
IRFZ34NSTRLPBF
IRFTS9342TRPBF
IRFR220NTRLPBF
IRFR5410TRRPBF
IRFHS9301TRPBF
IPD70N10S3L-12
IPD30N10S3L-34
常用型号大量现货，更多型号请咨询！

英飞凌 CoolGaN™ 是一种的 GaN （氮化镓）晶体管技术，可在高达 600 V 的电压范围内进行功率转换。凭借在半导体市场上积累的长期经验，英飞凌完善了增强模式方案，并可进行大批量端到端生产。的质量确保的标准，于市场上的一众 GaN HEMT 产品中提供了极为可靠且性能的解决方案。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC0805LSATMA1
IRFS7530TRLPBF
IRFS4115TRLPBF
IRFS7437TRLPBF
IRFS4321TRLPBF
IRF520NSTRLPBF
IRF3415STRLPBF
IRFS4010TRLPBF
IRLR3410TRLPBF
IRLZ34NSTRLPBF
IRLTS2242TRPBF
IRFS7430TRL7PP
BSC0702LSATMA1
IRLHS2242TRPBF
IRFTS8342TRPBF
我司承诺所有产品均为原装，可提供专项发票。

IGBT-绝缘栅双极晶体管
不同电压和电流等级的 IGBT 分立器件、压接式器件、功率模块以及组件解决方案。
我们的 IGBT 产品系列包括多款不同器件。这些产品广泛应用于汽车、牵引、能源传输、工业和消费系统领域。我们的解决方案在正向和阻断状态下功耗非常低，仅需低驱动功率便可发挥率。这些 IGBT 产品可承受高达 6.5 kV 的电压，并可在 2 kHz 至 50 kHz 的开关频率下工作。
借助广泛的技术组合优势，面向工业和功率控制应用的 IGBT ,具有出色的电流承载能力和更高的脉冲负载能力，功耗极低。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IRLML9303TRPBF
IRF3710STRLPBF
IRLML2246TRPBF
IRFS7530TRL7PP
IRLML5103TRPBF
IRLML6246TRPBF
IRFHM9331TRPBF
BSC0802LSATMA1
IRFR3410TRLPBF
IRFS7440TRLPBF
IRLMS6802TRPBF
IRFS4229TRLPBF
IRFR3710ZTRPBF
IRLR024NTRLPBF
IRFR6215TRLPBF
芯片提供商，每一片都是原装，让您用的放心，助力贵公司发展！

英飞凌提供多种 P 沟道功率 MOSFET 产品，专为汽车申请，符合 AEC 标准。
P 沟道功率 MOSFET 降低中低功率应用的设计复杂性
P 沟道 MOSFET 使用空穴流作为电荷载流子，其迁移率低于 N 沟道 MOSFET 中使用的电子流。在功能方面，主要区别在于P沟道MOSFET需要从栅极到源极的负电压（V一般事务人员） 导通（与需要正 V 的 N 沟道 MOSFET 相反一般事务人员电压）。这使得P沟道MOSFET成为高边开关的理想选择。设计的简单性有利于空间有限的低压驱动应用和非隔离POL。P沟道MOSFET特性的一大优势是简化的栅极驱动技术，通常可降低总体成本。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IRFS4227TRLPBF
IRFR4615TRLPBF
IRFR9120NTRPBF
IPG20N06S4L-26
IRFR4620TRLPBF
IRFML8244TRPBF
IRLR8726TRLPBF
IRLML6302TRPBF
IRLML0040TRPBF
IRLML2030TRPBF
IRFR5305TRLPBF
IRLR2905ZTRPBF
IRFZ44NSTRLPBF
IRLR3110ZTRPBF
IRFS7537TRLPBF
英飞凌各种常用型号大量现货，欢迎咨询合作！手机同号。