产品别名 |
MOS管 |
面向地区 |
MOS电容:(A)未偏置(VBG=0V),(B)反转(VBG=3V),(C)积累(VBG=-3V)。
正是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。电场反转,往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了,这个器件被认为是处于accumulation状态了。
MOS管的性能参数有哪些?
的MOS管能够承受的电流峰值更高。一般情况下我们要判断主板上MOS管的质量高低,可以看它能承受的大电流值。影响MOS管质量高低的参数非常多,像极端电流、极端电压等。但在MOS管上无法标注这么多参数,所以在MOS管表面一般只标注了产品的型号,我们可以根据该型号上网查找具体的性能参数。
还要说明的是,温度也是MOS管一个非常重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的提高,MOS管需要承受的电流也随着增强,提供近百A的电流已经很常见了。如此的电流通过时产生的热量当然使MOS管“发烧”了。为了MOS管的安全,主板也开始为MOS管加装散热片了。
MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。
其步骤如下:
假如有阻值没被测MOS管有漏电现象。
1、把连接栅极和源极的电阻移开,万用表红黑笔不变,假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大,则MOS管漏电,不变则完好
2、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来,假如指针立刻返回无限大,则MOS完好。
3、把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,好的表针指示应该是无限大。
4、用一只100KΩ-200KΩ的电阻连在栅极和漏极上,然后把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,这时表针指示的值一般是0,这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电,产生栅极电场,因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通,故万用表指针偏转,偏转的角度大,放电性越好。